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  • 2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器

    2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器是非制冷光伏探測(cè)器，基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)，集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能夠在空間有限的長波紅外測(cè)量系統(tǒng)中進(jìn)行組裝。

    更新時(shí)間：2024-12-04
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  • 銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管（900-1800nm，直徑10mm)

    便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導(dǎo)體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管（10mm）近紅外波長

    更新時(shí)間：2024-12-04
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  • APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB

    APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。 銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊

    更新時(shí)間：2024-12-04
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  • 四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm

    四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm采用正照型四象限光電探測(cè)器與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。其四個(gè)電壓輸出端P1、P2、P3、P4分別對(duì)應(yīng)于器件中探測(cè)器的四個(gè)象限，當(dāng)探測(cè)器的四個(gè)象限接收的光強(qiáng)變化時(shí)，器件的四個(gè)電壓輸出端的電壓也會(huì)隨之線性變化。

    更新時(shí)間：2024-12-04
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  • 16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600

    16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600：器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。 16mm四象限Si光電探測(cè)器/N型硅象限探測(cè)器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W

    更新時(shí)間：2024-12-04
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